Sistem Al-Si (Aluminium-silikon)

Aloi yang terbentuk dengan 89% Al dan 11% Si mempunyai suhu lebur terendah, dan titik ini disebut eutektik. Apabila suhu dinaikkan melebihi eutektik (557 ), peratusan Si akan naik, dan apabila disejukkan di bawah eutektik Si akan ditolak keluar daripada cecair membentuk lapisan silikon yang tumbuh semula pada antara muka. Lapisan Si yang terbentuk mengandungi peratusan Al yang kecil. Aloi Al/Si seterusnya akan membeku dan membentuk sentuhan Ohm denagan permukaan silikon, dengan syarat silikon adalah jenis p atau jenis n yang didopkan dengan lebat ( n⁺ ). Bagi silikon jenis n, resapan aluminium akan membentuk simpangan p-n, dan sentuhan yang terjadi adalah sentuhan rectifier. Oleh itu, untuk membuat sentuhan dengan silikon jenis n, kawasan sentuhan mestilah didopkan dengan lebat, n+ supaya sentuhan Ohm dapat terbentuk.

Sentuhan Ohm Aluminium Pada Transistor n-p-n

Rajah 1 menunjukkan sentuhan Al pada pemungut,pemancar dan tapak transistor n-p-n. walaupun kawasan tapak didopkan kurang daripada 5x1018 cm-3 tetapi kerana tapak adalah jenis p maka tiada masalah pembentukan sentuhan ohm. Pemancar adalah jenis n, tetapi didopkan dengan lebat, iaitu lebih daripada ketumpatan atom Al yang wujud di dalam aloi Al/Si. Kawasan pemungut didopkan kurang daripada 5x1018 cm-3,oleh itu, untuk membuat sentuhan ohm perlu dibuat kawasan sentuh n+ seperti yang ditunjukkan pada Rajah 7.2 bagi mengelakkan atom Al yang meresap membentuk kawasan p.

Rajah 1

Sentuhan Ohm Aluminium pada Transistor p-n-p

Bagi transisror p-n-p pula, tiada masalah untuk membuat sentuhan ohm dengan pemancar kerana pemancar adalah jenis p+ dan didopkan dengan lebat. Begitu juga sentuhan dengan Al dengan pemungut, kerana ia jenis p. Tetapi, tapak adalah jenis n dan didopkan kurang, maka kawasan sentuhan memerlukan kawasan n+ seperti yang ditunjukkan pada Rajah 2 bagi mengelakkan terjadinya sentuhan rektifier.

Rajah 2

Penglogaman Berlapis dan Persilangan Sambungan

Dalam litar bersepadu terutamanya LSI persilangan logam tidak dapat dielakkan. Lapisan silikon oksida (SiO2) digunakan sebagai penebat di antara dua lapisan logam. Persilangan logam ini disebut silangan atas seperti yang ditunjukkan pada Rajah 3.1(a). selain daripada logam, lapisan polisilikon dan n⁺ juga boleh digunakan seperti pada Rajah 3.1(b).

Rajah 3.1(a)


Rajah 3.1(b)

|| Isi Kandungan || Sekalung Penghargaan || Pengenalan || Sistem Aliminium-Silikon ||
|| Teknik Penglogaman || Masalah Penglogaman || Silisida || Rujukan ||